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VEMD6060X01
Photodiode, 70 °, 30 pA, 820 nm, 1206-2
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantVEMD6060X01Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine90Y8880RL
Bandes découpées90Y8880
Votre numéro de pièce
238 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 2,170 $ | 2,17 $ |
| Total Prix | 2,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,170 $ |
| 50+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,060 $ |
| 500+ | 0,981 $ |
| 1000+ | 0,924 $ |
| 2500+ | 0,882 $ |
| 5000+ | 0,838 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVEMD6060X01Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande
Mise en bobine90Y8880RL
Bandes découpées90Y8880
Fiche technique
Aperçu du produit
Silicon PIN photodiode suitable for use in high speed photo detector, small signal detection and proximity sensors.
- Radiant sensitive area of 0.85mm²
- AEC-Q101 qualified
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Excellent Ira linearity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit