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VS-3C04EV07T-M3/I
Silicon Carbide Schottky Diode, eSMP Series, Single, 650 V, 4 A, 12 nC, SlimDPAK
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-3C04EV07T-M3/ICopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AM8557RL
Bandes découpées11AM8557
Gamme de produiteSMP Series
Votre numéro de pièce
39 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,980 $ | 19,90 $ |
| Total Prix | 19,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,980 $ |
| 50+ | 2,570 $ |
| 100+ | 1,790 $ |
| 250+ | 1,650 $ |
| 500+ | 1,510 $ |
| 1000+ | 1,360 $ |
| 2500+ | 1,340 $ |
| 5000+ | 1,310 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVS-3C04EV07T-M3/ICopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine11AM8557RL
Bandes découpées11AM8557
Gamme de produiteSMP Series
Fiche technique
Product RangeeSMP Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current4A
Total Capacitive Charge12nC
Diode Case StyleSlimDPAK
No. of Pins2 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
VS-3C04EV07T-M3/I is a 650V, 4A Gen 3 power SiC merged PIN Schottky diode. This wide band gap SiC based 650V Schottky diode, designed for high performance and ruggedness. It is an optimum choice for high speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range, it is also recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behavior. Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high frequency output rectification in FBPS and LLC converters.
- Creepage and clearance distance of 2.8mm (0.11") minimum
- Very low profile – typical height of 1.3mm
- Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
- Improved VF and efficiency by thin wafer technology
- Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
- Virtually no recovery tail and no switching losses
- Temperature invariant switching behavior
- 175°C maximum operating junction temperature
- MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
- Meets JESD 201 class 2 whisker test
Spécifications techniques
Product Range
eSMP Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
12nC
No. of Pins
2 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
4A
Diode Case Style
SlimDPAK
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit