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VSML3710-GS18
Infrared Emitter, High Power, 940 nm, 60 °, LCC, 9.5 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,848 $ |
| 10+ | 0,584 $ |
| 25+ | 0,531 $ |
| 50+ | 0,477 $ |
| 100+ | 0,424 $ |
| 500+ | 0,353 $ |
| 1000+ | 0,309 $ |
| 2500+ | 0,308 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
4,24 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantVSML3710-GS18
Code Commande53W2031
Fiche technique
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case StyleLCC
Radiant Intensity (Ie)9.5mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q100
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
High power infrared emitting diode, 940nm, GaAlAs MQW. It is suitable for use in IR emitter in photo interrupters, sensors and reflective sensors, IR emitter in low space applications, household appliance and tactile keyboards.
- AEC-Q101 qualified
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
Spécifications techniques
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
LCC
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q100
MSL
-
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
9.5mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
-
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit