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WMSC006H12B2S6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 134,560 $ |
| 5+ | 131,570 $ |
| 10+ | 128,450 $ |
| 36+ | 126,890 $ |
| 60+ | 125,370 $ |
| 108+ | 119,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
134,56 $
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWMSC006H12B2S6T
Code Commande27AM4930
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit