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WNSC2M150120B76J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28.7 A, 1.2 kV, 150 mohm, TO-263
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FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M150120B76JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4936RL
Bandes découpées27AM4936
Votre numéro de pièce
710 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,050 $ | 5,05 $ |
| Total Prix | 5,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,050 $ |
| 50+ | 4,540 $ |
| 100+ | 4,170 $ |
| 250+ | 3,790 $ |
| 500+ | 3,400 $ |
| 1000+ | 3,020 $ |
| 2500+ | 2,810 $ |
| 5000+ | 2,700 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M150120B76JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4936RL
Bandes découpées27AM4936
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance150mohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation231W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28.7A
Drain Source On State Resistance
150mohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
231W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit