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WNSC2M1K0170B7J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 7.5 A, 1.7 kV, 1.2 ohm, TO-263
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FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M1K0170B7JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4935RL
Bandes découpées27AM4935
Votre numéro de pièce
722 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,500 $ | 5,50 $ |
| Total Prix | 5,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,500 $ |
| 50+ | 4,960 $ |
| 100+ | 4,610 $ |
| 250+ | 4,260 $ |
| 500+ | 3,810 $ |
| 1000+ | 3,190 $ |
| 2500+ | 3,080 $ |
| 5000+ | 2,940 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M1K0170B7JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4935RL
Bandes découpées27AM4935
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation91W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
91W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit