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WNSC2M40120TB6J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 77 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TSPAK
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FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M40120TB6JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4940RL
Bandes découpées27AM4940
Votre numéro de pièce
539 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 14,600 $ | 14,60 $ |
| Total Prix | 14,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,600 $ |
| 50+ | 13,370 $ |
| 100+ | 12,820 $ |
| 250+ | 11,800 $ |
| 500+ | 11,050 $ |
| 1000+ | 10,180 $ |
| 2500+ | 9,800 $ |
| 5000+ | 9,370 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantWEEN SEMICONDUCTORS
Réf. FabricantWNSC2M40120TB6JCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM4940RL
Bandes découpées27AM4940
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StyleTSPAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation393W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TSPAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
393W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit