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FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3N2R8AMTCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Mise en bobine70AK6963RL
Bandes découpées70AK6963
Gamme de produitXP3N2R8A Series
Votre numéro de pièce
2 985 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,390 $ | 1,39 $ |
| Total Prix | 1,39 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,390 $ |
| 50+ | 0,865 $ |
| 100+ | 0,562 $ |
| 250+ | 0,497 $ |
| 500+ | 0,432 $ |
| 1000+ | 0,391 $ |
| 2500+ | 0,383 $ |
| 5000+ | 0,375 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3N2R8AMTCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Mise en bobine70AK6963RL
Bandes découpées70AK6963
Gamme de produitXP3N2R8A Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id103A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StylePMPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3N2R8A Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
103A
Transistor Case Style
PMPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3N2R8A Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
