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XP3P010M
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3P010MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Mise en bobine70AK6971RL
Bandes découpées70AK6971
Gamme de produitXP3P010 Series
Votre numéro de pièce
174 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,310 $ | 1,31 $ |
| Total Prix | 1,31 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,310 $ |
| 50+ | 0,598 $ |
| 100+ | 0,528 $ |
| 250+ | 0,467 $ |
| 500+ | 0,404 $ |
| 1000+ | 0,396 $ |
| 2500+ | 0,388 $ |
| 5000+ | 0,381 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantYAGEO XSEMI
Réf. FabricantXP3P010MCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Mise en bobine70AK6971RL
Bandes découpées70AK6971
Gamme de produitXP3P010 Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13.3A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3P010 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3P010 Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit