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SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 61A, POWERPAIR
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ200DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3511
Mise en bobine94AC9390RL
Bandes découpées94AC9390
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,470 $ | 2,47 $ |
| Total Prix | 2,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,470 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 0,976 $ |
| 500+ | 0,905 $ |
| 1000+ | 0,814 $ |
| 2500+ | 0,761 $ |
| 5000+ | 0,707 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,935 $ |
| 18000+ | 0,917 $ |
| 30000+ | 0,897 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ200DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3511
Mise en bobine94AC9390RL
Bandes découpées94AC9390
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel61A
Continuous Drain Current Id P Channel61A
Drain Source On State Resistance N Channel4500µohm
Drain Source On State Resistance P Channel4500µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel33W
Power Dissipation P Channel33W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
61A
Drain Source On State Resistance P Channel
4500µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
33W
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
61A
Drain Source On State Resistance N Channel
4500µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZ200DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit