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IRFH4255DTRPBF
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 105 A, 0.0015 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH4255DTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine45X9505RL
Bandes découpées45X9505
Gamme de produitFastIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001575678
Votre numéro de pièce
3 438 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,620 $ | 3,62 $ |
| Total Prix | 3,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,620 $ |
| 10+ | 3,050 $ |
| 25+ | 2,900 $ |
| 50+ | 2,730 $ |
| 100+ | 2,560 $ |
| 250+ | 2,370 $ |
| 500+ | 2,160 $ |
| 1000+ | 1,850 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRFH4255DTRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Mise en bobine45X9505RL
Bandes découpées45X9505
Gamme de produitFastIRFET HEXFET Series
Egalement appeléSP001575678
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel105A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0015ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleQFN
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel38W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFastIRFET HEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
IRFH4255DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET suitable for control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package
- Low charge control MOSFET (10nC typical)
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>2.10mohm)
- Intrinsic Schottky diode with low forward voltage on Q2
- Increased power density
- Lower conduction losses
- Environmentally friendlier
- Lower switching losses
- Increased reliability
- Dual PQFN 0.197" x 0.237" package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
105A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
FastIRFET HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
105A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0015ohm
Transistor Case Style
QFN
Power Dissipation N Channel
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit