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FDMC7660DC
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0022 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC7660DCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète92R5535
Mise en bobine28T0533
Bandes découpées28T0533
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,300 $ | 3 900,00 $ |
| Total Prix | 3 900,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,300 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,280 $ |
| 9000+ | 1,220 $ |
| 15000+ | 1,190 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC7660DCCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande
Bobine complète92R5535
Mise en bobine28T0533
Bandes découpées28T0533
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.0022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDual Cool 33
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The FDMC7660DC is a Cool™ dual N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest Ids (on) while maintaining excellent switching performance by extremely low junction-to-ambient thermal resistance. The device is suitable for use with synchronous rectifier for DC-to-DC converters, telecom secondary side rectification and high end server/workstation applications.
- High performance technology for extremely low RDS (ON)
- ±20V Gate to source voltage
- 200mA Pulsed drain current
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0022ohm
Transistor Case Style
Dual Cool 33
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit