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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,070 $ |
| 10+ | 0,973 $ |
| 25+ | 0,900 $ |
| 50+ | 0,814 $ |
| 100+ | 0,738 $ |
| 250+ | 0,654 $ |
| 500+ | 0,593 $ |
| 1000+ | 0,499 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2309ES-T1_GE3
Code Commande96Y9636
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds-60V
Continuous Drain Current Id-2.3A
Drain Source On State Resistance0.335ohm
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.3W
Rds(on) Test Voltage-10V
Gate Source Threshold Voltage Max-2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produits de remplacement pour SQ2309ES-T1_GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
-60V
Drain Source On State Resistance
0.335ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
3.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
-2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
-2.3A
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
-10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit