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SISA40DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 162A, 150DEG C, 52W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA40DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3488
Mise en bobine99AC9577RL
Bandes découpées99AC9577
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
1 152 En Stock
1 152 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,990 $ | 9,95 $ |
| Total Prix | 9,95 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,990 $ |
| 50+ | 1,250 $ |
| 100+ | 0,826 $ |
| 250+ | 0,736 $ |
| 500+ | 0,645 $ |
| 1000+ | 0,586 $ |
| 2500+ | 0,550 $ |
| 5000+ | 0,511 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,767 $ |
| 5000+ | 0,753 $ |
| 10000+ | 0,709 $ |
| 20000+ | 0,672 $ |
| 30000+ | 0,637 $ |
| 50000+ | 0,617 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA40DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3488
Mise en bobine99AC9577RL
Bandes découpées99AC9577
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id162A
On Resistance Rds(on)920µohm
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
920µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
162A
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISA40DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit