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SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande63W4125
Votre numéro de pièce
2 283 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,720 $ |
| 10+ | 1,120 $ |
| 100+ | 0,775 $ |
| 500+ | 0,628 $ |
| 1000+ | 0,579 $ |
| 2500+ | 0,534 $ |
| 10000+ | 0,487 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,72 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA14DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande63W4125
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance5100µohm
On Resistance Rds(on)0.00425ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd31.2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation31.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5100µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
31.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.00425ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit