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IRF6623TRPBF
MOSFET, N-CH, 20V, 55A, DIRECTFET ST-7
4 103 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,730 $ | 4,73 $ |
| Total Prix | 4,73 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,730 $ |
| 10+ | 2,920 $ |
| 25+ | 2,660 $ |
| 50+ | 2,390 $ |
| 100+ | 2,140 $ |
| 250+ | 1,950 $ |
| 500+ | 1,770 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6623TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine91Y4738
Bandes découpées91Y4738
Gamme de produitHEXFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance5700µohm
On Resistance Rds(on)0.0044ohm
Transistor Case StyleDirectFET ST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Case Style
DirectFET ST
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
On Resistance Rds(on)
0.0044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit