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SKIM429GD17E4HD
IGBT Module, 595 A, 1.7 kV, 175 °C
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
Informations produit
FabricantSEMIKRON
Réf. FabricantSKIM429GD17E4HD
Code Commande77R2504
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT Configuration-
DC Collector Current595A
Continuous Collector Current595A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7kV
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7kV
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.1V
Transistor Case Style-
No. of Pins32Pins
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.1V
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
595A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7kV
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.1V
No. of Pins
32Pins
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
595A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7kV
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
175°C
Transistor Case Style
-
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.1V
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit