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CM400DY-24A
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 3 V, 2.71 kW, 150 °C, Module
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![MITSUBISHI ELECTRIC CM400DY-24A IGBT Module, Dual [Half Bridge], 400 A, 3 V, 2.71 kW, 150 °C, Module](https://canada.newark.com/productimages/standard/en_US/4550777.jpg)
FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM400DY-24ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant48 semaines
Code Commande19K9225
Gamme de produitA Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 48 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 10+ | 253,440 $ |
| 25+ | 249,680 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 10
Multiple: 10
2 534,40 $
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Informations produit
FabricantMITSUBISHI ELECTRIC
Réf. FabricantCM400DY-24ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant48 semaines
Code Commande19K9225
Gamme de produitA Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current400A
Continuous Collector Current400A
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2kV
Power Dissipation Pd2.71kW
Power Dissipation2.71kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
No. of Pins7Pins
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench Gate]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeA Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The CM400DY-24A is a dual IGBTMOD™ Module designed for use in switching applications. The A series module consists of two IGBT transistors in a half-bridge configuration with each transistor having a reverse connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from the heat sinking base plate, offering simplified system assembly and thermal management.
- Low drive power
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- Discrete super-fast recovery free-wheel diode
- Isolated base plate for easy heat sinking
Applications
Motor Drive & Control, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
400A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation Pd
2.71kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench Gate]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
400A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2kV
Power Dissipation
2.71kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
A Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit