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HGTP12N60A4D
IGBT, TO-220
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTP12N60A4DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande05M3595
Votre numéro de pièce
1 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,630 $ |
| 10+ | 4,030 $ |
| 25+ | 3,550 $ |
| 50+ | 3,340 $ |
| 100+ | 2,910 $ |
| 250+ | 2,850 $ |
| 500+ | 2,800 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,63 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantHGTP12N60A4DCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant6 semaines
Code Commande05M3595
Fiche technique
Continuous Collector Current54A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Continuous Collector Current
54A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit