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PBSS4032PZ,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 4.4 A, 700 mW, SOT-223, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPBSS4032PZ,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine84R0217RL
Bandes découpées84R0217
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,470 $ | 3,47 $ |
| Total Prix | 3,47 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,470 $ |
| 10+ | 2,170 $ |
| 25+ | 1,890 $ |
| 50+ | 1,600 $ |
| 100+ | 1,420 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPBSS4032PZ,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine84R0217RL
Bandes découpées84R0217
Fiche technique
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
DC Collector Current4.4A
Continuous Collector Current4.4A
Power Dissipation Pd700mW
Power Dissipation700mW
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency130MHz
DC Current Gain hFE Min350hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PBSS4032PZ is a 4.4A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- Optimized switching time
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High energy efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
- NPN complement is PBSS4032NZ
- PB4032PZ Marking code
Applications
Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Signal Processing, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Continuous Collector Current
4.4A
Power Dissipation
700mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
130MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
DC Collector Current
4.4A
Power Dissipation Pd
700mW
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
350hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit