12.2A Gallium Nitride (GaN) FETs | Newark Électronique Canada

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Réf. fabricant	Code Commande	Fabricant / Description	Prix pour	Prix	Drain Source Voltage Vds	Continuous Drain Current Id	Drain Source On State Resistance	Typical Gate Charge	Transistor Case Style	Transistor Mounting	No. of Pins

GS0650116LMRXUSA1	42AM5332 Data Sheet RoHS	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 700 V 12.2 A 0.18 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+6,850 $ 50+6,710 $ 100+6,570 $ 250+6,440 $ 500+6,310 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins
GS0650116LRMRXUSA1	42AM5333 Data Sheet RoHS	INFINEON Gallium Nitride (GaN) Transistor 700 V 12.2 A 0.18 ohm 2.2 nC PDFN Surface Mount	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+7,010 $ 50+6,870 $ 100+6,730 $ 250+6,590 $ 500+6,450 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins
GS0650116LRTRXUMA1	42AM5334 RoHS	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 12.2A PDFN	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+6,830 $ 50+6,030 $ 100+5,530 $ 250+5,000 $ 500+4,340 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins
GS0650116LTRXUMA1	42AM5335 RoHS	INFINEON GAN TRANSISTOR 700V 12.2A PDFN	Each (Supplied on Cut Tape) Bandes découpées	1+6,640 $ 50+5,850 $ 100+5,360 $ 250+4,860 $ 500+4,210 $ Plus de tarifs	700V	12.2A	0.18ohm	2.2nC	PDFN	Surface Mount	8Pins