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GS0650116LRMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650116LRMRXUSA1
Code Commande42AM5333
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,410 $ |
| 10+ | 4,770 $ |
| 25+ | 4,370 $ |
| 50+ | 3,950 $ |
| 100+ | 3,440 $ |
| 250+ | 2,730 $ |
| 500+ | 2,590 $ |
| 1000+ | 2,440 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS0650116LRMRXUSA1
Code Commande42AM5333
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id12.2A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StylePDFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
PDFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
12.2A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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