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NXH003P120M3F2PTNG
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH003P120M3F2PTNGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande94AK7563
Votre numéro de pièce
21 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 326,150 $ |
| 5+ | 316,110 $ |
| 10+ | 306,080 $ |
| 25+ | 296,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
326,15 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH003P120M3F2PTNGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande94AK7563
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation1.48kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
1.48kW
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit