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DMG1012UW-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1012UW-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3735
Mise en bobine07AH3734RL
Bandes découpées07AH3734
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,575 $ | 2,88 $ |
| Total Prix | 2,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,575 $ |
| 10+ | 0,357 $ |
| 15+ | 0,328 $ |
| 25+ | 0,297 $ |
| 50+ | 0,261 $ |
| 125+ | 0,229 $ |
| 250+ | 0,225 $ |
| 500+ | 0,220 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,129 $ |
| 6000+ | 0,121 $ |
| 9000+ | 0,112 $ |
| 15000+ | 0,109 $ |
| 30000+ | 0,108 $ |
| 75000+ | 0,105 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG1012UW-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète07AH3735
Mise en bobine07AH3734RL
Bandes découpées07AH3734
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd290mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
DMG1012UW-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.29W at TA = +25°C
- SOT323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
290mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMG1012UW-7
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits