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DMG2305UX-13
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG2305UX-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine82Y6563
Bandes découpées82Y6563
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,452 $ | 0,45 $ |
| Total Prix | 0,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,452 $ |
| 10+ | 0,249 $ |
| 25+ | 0,227 $ |
| 50+ | 0,203 $ |
| 100+ | 0,181 $ |
| 250+ | 0,160 $ |
| 500+ | 0,139 $ |
| 1000+ | 0,128 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG2305UX-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Mise en bobine82Y6563
Bandes découpées82Y6563
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.4W
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation1.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
DMG2305UX-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET in a 3 pin SOT23 package. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, power management functions, DC-DC converters and motor controls.
- Dain-source voltage is -20V
- Static drain-source on-resistance is 100mohm(VGS = -2.5V, ID = -3.4A)
- Gate-source voltage is ±8V
- Pulsed drain current is -15A
- Power dissipation is 1.4W
- Operating temperature range from -55 to +150°C
- Low on-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.4W
Power Dissipation
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit