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DMG2305UX-7
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG2305UX-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4740
Mise en bobine82Y6564RL
Bandes découpées82Y6564
Votre numéro de pièce
2 200 En Stock
2 200 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,400 $ | 0,40 $ |
| Total Prix | 0,40 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,400 $ |
| 50+ | 0,250 $ |
| 100+ | 0,182 $ |
| 250+ | 0,162 $ |
| 500+ | 0,142 $ |
| 1000+ | 0,129 $ |
| 2500+ | 0,126 $ |
| 5000+ | 0,124 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,134 $ |
| 9000+ | 0,118 $ |
| 15000+ | 0,115 $ |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG2305UX-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4740
Mise en bobine82Y6564RL
Bandes découpées82Y6564
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.4W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation1.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
DMG2305UX-7 is a P channel enhancement mode MOSFET in 3 pin SOT23 package. This MOSFET is designed to minimize on-state resistance (RDS(on)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is used in backlighting, power management functions, DC-DC converters and motor controls.
- Low on-resistance of 52mohm at VGS = -4.5V
- Low input capacitance
- Fast switching speed
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit