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DMG3414UQ-7
MOSFET, N-CH, 20V, 4.2A, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3414UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8407
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,973 $ |
| 10+ | 0,598 $ |
| 25+ | 0,526 $ |
| 50+ | 0,455 $ |
| 100+ | 0,383 $ |
| 250+ | 0,337 $ |
| 500+ | 0,290 $ |
| 1000+ | 0,259 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,86 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3414UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8407
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation Pd780mW
Power Dissipation780mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
780mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation
780mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit