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DMG3415UQ-7
MOSFET, P-CH, 20V, 4A, SOT-23
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3415UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8409
Votre numéro de pièce
270 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,989 $ |
| 10+ | 0,612 $ |
| 25+ | 0,565 $ |
| 50+ | 0,519 $ |
| 100+ | 0,472 $ |
| 250+ | 0,416 $ |
| 500+ | 0,359 $ |
| 1000+ | 0,323 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,94 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMG3415UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8409
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation Pd900mW
Power Dissipation900mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
900mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit