Imprimer la page
DMN10H220LK3-13
MOSFET, N-CH, 100V, 7.5A, TO-252
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 882 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison dans 4-6 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,020 $ |
| 10+ | 0,629 $ |
| 25+ | 0,555 $ |
| 50+ | 0,479 $ |
| 100+ | 0,404 $ |
| 250+ | 0,356 $ |
| 500+ | 0,308 $ |
| 1000+ | 0,277 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,10 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN10H220LK3-13Copie
Code Commande28AK8465
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.179ohm
On Resistance Rds(on)0.179ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation18.7W
Power Dissipation Pd18.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.179ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
18.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
On Resistance Rds(on)
0.179ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
18.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit