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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2004K-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4758
Mise en bobine25R4519RL
Bandes découpées25R4519
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,609 $ | 3,04 $ |
| Total Prix | 3,04 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,609 $ |
| 50+ | 0,389 $ |
| 100+ | 0,260 $ |
| 250+ | 0,234 $ |
| 500+ | 0,209 $ |
| 1000+ | 0,190 $ |
| 2500+ | 0,178 $ |
| 5000+ | 0,165 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,195 $ |
| 9000+ | 0,172 $ |
| 15000+ | 0,169 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2004K-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4758
Mise en bobine25R4519RL
Bandes découpées25R4519
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.55ohm
On Resistance Rds(on)0.55ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd350mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The DMN2004K-7 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It has been designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- ESD Protected up to 2KV
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Applications
Power Management, Defence, Military & Aerospace, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.55ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
350mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
On Resistance Rds(on)
0.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
