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DMN2230UQ-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2230UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4766
Mise en bobine07AH3763RL
Bandes découpées07AH3763
Votre numéro de pièce
4 795 En Stock
4 795 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,960 $ | 4,80 $ |
| Total Prix | 4,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,960 $ |
| 50+ | 0,615 $ |
| 100+ | 0,413 $ |
| 250+ | 0,369 $ |
| 500+ | 0,325 $ |
| 1000+ | 0,297 $ |
| 2500+ | 0,291 $ |
| 5000+ | 0,285 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,203 $ |
| 6000+ | 0,194 $ |
| 12000+ | 0,184 $ |
| 18000+ | 0,173 $ |
| 30000+ | 0,160 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2230UQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK4766
Mise en bobine07AH3763RL
Bandes découpées07AH3763
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.081ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd600mW
Power Dissipation600mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.081ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
600mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
600mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit