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DMN2501UFB4-7
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, X2-DFN1006
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2501UFB4-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8522
Votre numéro de pièce
2 630 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,645 $ |
| 10+ | 0,397 $ |
| 25+ | 0,348 $ |
| 50+ | 0,299 $ |
| 100+ | 0,251 $ |
| 250+ | 0,220 $ |
| 500+ | 0,188 $ |
| 1000+ | 0,169 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,22 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2501UFB4-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8522
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleX2-DFN1006
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max760mV
Power Dissipation Pd500mW
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
X2-DFN1006
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
760mV
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit