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DMN61D8LVTQ-7
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 0.63A
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN61D8LVTQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8630
Votre numéro de pièce
4 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,120 $ |
| 10+ | 0,716 $ |
| 25+ | 0,630 $ |
| 50+ | 0,544 $ |
| 100+ | 0,459 $ |
| 250+ | 0,402 $ |
| 500+ | 0,347 $ |
| 1000+ | 0,312 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,60 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN61D8LVTQ-7Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8630
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel630mA
Continuous Drain Current Id P Channel630mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTSOT-26
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.09W
Power Dissipation P Channel1.09W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
630mA
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.09W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
630mA
Continuous Drain Current Id N Channel
630mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.8ohm
Transistor Case Style
TSOT-26
Power Dissipation N Channel
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit