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DMP2022LSSQ-13
MOSFET, P-CH, 20V, 9.3A, SOIC
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP2022LSSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8695
Votre numéro de pièce
1 949 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,850 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 0,947 $ |
| 100+ | 0,814 $ |
| 250+ | 0,727 $ |
| 500+ | 0,641 $ |
| 1000+ | 0,583 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,85 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP2022LSSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande28AK8695
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max770mV
Power Dissipation1.6W
Power Dissipation Pd1.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
9.3A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
770mV
Power Dissipation Pd
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit