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DMPH1006UPSQ-13
MOSFET, P-CH, 12V, 80A, POWERDI 5060
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMPH1006UPSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande28AK8657
Votre numéro de pièce
1 175 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,420 $ |
| 10+ | 1,510 $ |
| 25+ | 1,350 $ |
| 50+ | 1,190 $ |
| 100+ | 1,020 $ |
| 250+ | 0,915 $ |
| 500+ | 0,840 $ |
| 1000+ | 0,804 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,42 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMPH1006UPSQ-13Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande28AK8657
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4000µohm
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Transistor Case StylePowerDI 5060
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Case Style
PowerDI 5060
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit