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ZVN2106A
MOSFET, N, 60V, 0.45A, E-LINE
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN2106ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande85K9988
Votre numéro de pièce
19 532 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,310 $ |
| 10+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,060 $ |
| 500+ | 1,020 $ |
| 1000+ | 0,981 $ |
| 2500+ | 0,941 $ |
| 10000+ | 0,895 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,31 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN2106ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande85K9988
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id450mA
On Resistance Rds(on)2ohm
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The ZVN2106A is a N-channel enhancement mode MOSFET with 8A pulsed drain current.
- ±20V Gate Source Voltage
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
450mA
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit