Imprimer la page
ZVN2110A
MOSFET, N, E-LINE
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN2110ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande98K4100
Votre numéro de pièce
4 723 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,130 $ |
| 10+ | 1,400 $ |
| 100+ | 0,983 $ |
| 500+ | 0,969 $ |
| 1000+ | 0,955 $ |
| 2500+ | 0,941 $ |
| 10000+ | 0,895 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,13 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVN2110ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande98K4100
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id320mA
Drain Source On State Resistance4ohm
On Resistance Rds(on)4ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
ZVN2110A is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 100V
- Continuous drain current at Tamb=25° is 320mA
- Pulsed drain current is 6A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 700mW
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID=1mA, VGS=0V, Tamb=25°C
- Static drain-source on-state resistance is 4ohm max at VGS=10V, ID=1A, Tamb=25°C
- Turn-off delay time is 13ns max at VDD ≈25V, ID=1A, Tamb=25°C
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
320mA
On Resistance Rds(on)
4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour ZVN2110A
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit