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ZVP3306A
MOSFET, P, E-LINE
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FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVP3306ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande98K4112
Votre numéro de pièce
1 042 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,710 $ |
| 10+ | 1,080 $ |
| 100+ | 0,691 $ |
| 500+ | 0,545 $ |
| 1000+ | 0,498 $ |
| 2500+ | 0,476 $ |
| 12000+ | 0,440 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,71 $
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZVP3306ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande98K4112
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id160mA
Drain Source On State Resistance14ohm
On Resistance Rds(on)14ohm
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd625mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZVP3306A is a P-channel enhancement mode Vertical DMOS FET.
- AEC-Q101 Qualified
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Case Style
E-Line
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
160mA
On Resistance Rds(on)
14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
625mW
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit