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ZXMC3A17DN8TA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.05 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A17DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6600
Mise en bobine62M1299RL
Bandes découpées62M1299
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 42 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,370 $ | 2,37 $ |
| Total Prix | 2,37 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,370 $ |
| 10+ | 1,510 $ |
| 25+ | 1,330 $ |
| 50+ | 1,170 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 0,708 $ |
| 1000+ | 0,672 $ |
| 2000+ | 0,647 $ |
| 3000+ | 0,638 $ |
| 5000+ | 0,631 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantZXMC3A17DN8TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6600
Mise en bobine62M1299RL
Bandes découpées62M1299
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id5.4A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.4A
Continuous Drain Current Id P Channel4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.05ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The ZXMC3A17DN8TA is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. It is ideal for high efficiency, low voltage and LCD backlighting applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
5.4A
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.05ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit