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G3F18MT12FB4
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, N Channel, 53 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
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FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F18MT12FB4
Code Commande39AM8768
Gamme de produitSiCPAK F Series
Fiche technique
48 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 181,010 $ |
| 5+ | 176,160 $ |
| 10+ | 171,100 $ |
| 25+ | 168,560 $ |
| 96+ | 166,100 $ |
| 144+ | 156,130 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
181,01 $
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Informations produit
FabricantGENESIC
Réf. FabricantG3F18MT12FB4
Code Commande39AM8768
Gamme de produitSiCPAK F Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation106W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSiCPAK F Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
106W
Product Range
SiCPAK F Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit