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AIMW120R080M1XKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R080M1XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande52AJ4420
Gamme de produitCoolSiC Trench
Votre numéro de pièce
2 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,810 $ |
| 10+ | 21,640 $ |
| 25+ | 19,490 $ |
| 50+ | 17,320 $ |
| 100+ | 16,970 $ |
| 250+ | 16,630 $ |
| 500+ | 16,280 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
23,81 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAIMW120R080M1XKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande52AJ4420
Gamme de produitCoolSiC Trench
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC Trench
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit