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AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC2192RL
Bandes découpées43AC2192
Gamme de produitHEXFET Series
Votre numéro de pièce
13 765 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,790 $ | 3,79 $ |
| Total Prix | 3,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,790 $ |
| 50+ | 3,340 $ |
| 100+ | 3,020 $ |
| 250+ | 2,700 $ |
| 500+ | 2,350 $ |
| 1000+ | 2,020 $ |
| 2500+ | 1,830 $ |
| 5000+ | 1,740 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantAUIRF7343QTRCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine43AC2192RL
Bandes découpées43AC2192
Gamme de produitHEXFET Series
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
55V
Continuous Drain Current Id
4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit