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AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, SOIC, Surface Mount
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| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | AUIRF7343QTRCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine43AC2192RL Bandes découpées43AC2192 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
13 763 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,750 $ | 3,75 $ |
| Total Prix | 3,75 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,750 $ |
| 50+ | 3,290 $ |
| 100+ | 2,980 $ |
| 250+ | 2,660 $ |
| 500+ | 2,320 $ |
| 1000+ | 1,990 $ |
| 2500+ | 1,810 $ |
| 5000+ | 1,710 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | INFINEON |
|---|---|
| Réf. Fabricant | AUIRF7343QTRCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Mise en bobine43AC2192RL Bandes découpées43AC2192 |
| Gamme de produit | HEXFET Series |
| Fiche technique | |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 55V |
| Drain Source Voltage Vds | 55V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 55V |
| Continuous Drain Current Id | 4.7A |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 4.7A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 4.7A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.043ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.043ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation N Channel | 2W |
| Power Dissipation P Channel | 2W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | HEXFET Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2018) |
Aperçu du produit
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Spécifications techniques
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 55V |
| Continuous Drain Current Id | 4.7A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 4.7A |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.043ohm |
| No. of Pins | 8Pins |
| Power Dissipation P Channel | 2W |
| Product Range | HEXFET Series |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 55V |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 55V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 4.7A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.043ohm |
| Transistor Case Style | SOIC |
| Power Dissipation N Channel | 2W |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2018) |
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (27-Jun-2018) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |