Imprimer la page
BSC252N10NSFGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC252N10NSFGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande60R2521
Egalement appeléBSC252N10NSF G, SP000379608
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,200 $ |
| 10+ | 1,560 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
| 500+ | 1,110 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
| 2500+ | 0,992 $ |
| 10000+ | 0,935 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,20 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC252N10NSFGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant28 semaines
Code Commande60R2521
Egalement appeléBSC252N10NSF G, SP000379608
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0252ohm
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd78W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The BSC252N10NSF G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free
- MSL1 rated 2
Applications
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0252ohm
Transistor Case Style
PG-TDSON
Power Dissipation Pd
78W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BSC252N10NSFGATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit