Imprimer la page

BSC340N08NS3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Surface Mount

L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

INFINEON BSC340N08NS3GATMA1 Power MOSFET, N Channel, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Surface Mount

Fabricant	INFINEON
Réf. Fabricant	BSC340N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Bobine complète93AK8295 Mise en bobine47W3313RL Bandes découpées47W3313
Egalement appelé	BSC340N08NS3 G, SP000447534
Votre numéro de pièce
Fiche technique	Data Sheet Découvrez tous les documents techniques

386 128 En Stock

386 128 disponibles sur {packagingType}

Bobine complète sont disponibles en commandes différées.

Options de conditionnement

Expédiées lorsqu’en stock

Bobine complète

(Min : 5000 / Mult : 5000)

Mise en bobine

(Min : 100 / Mult : 1)

Bandes découpées

(Min : 1 / Mult : 1)

Type de conditionnement	Quantité	PU HT:	Total
Bandes découpées	1	2,000 $	2,00 $
Total Prix			2,00 $

Bandes découpées & Mise en bobine

Quantité	Prix
1+	2,000 $
50+	0,941 $
100+	0,837 $
250+	0,812 $
500+	0,633 $
1000+	0,620 $
2500+	0,608 $
5000+	0,595 $

Bobine complète

Quantité	Prix
5000+	0,679 $
10000+	0,652 $
15000+	0,626 $
25000+	0,613 $
50000+	0,601 $
125000+	0,588 $

Note à la ligne

Note

Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.

Informations produit

Fabricant	INFINEON
Réf. Fabricant	BSC340N08NS3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Code Commande	Bobine complète93AK8295 Mise en bobine47W3313RL Bandes découpées47W3313
Egalement appelé	BSC340N08NS3 G, SP000447534
Fiche technique	Data Sheet
Channel Type	N Channel
Transistor Polarity	N Channel
Drain Source Voltage Vds	80V
Continuous Drain Current Id	23A
On Resistance Rds(on)	0.0275ohm
Drain Source On State Resistance	0.034ohm
Transistor Case Style	SuperSOT
Transistor Mounting	Surface Mount
Rds(on) Test Voltage	10V
Power Dissipation Pd	32W
Gate Source Threshold Voltage Max	2.8V
Power Dissipation	32W
No. of Pins	8Pins
Operating Temperature Max	150°C
Product Range	-
Qualification	-
MSL	MSL 1 - Unlimited
SVHC	No SVHC (25-Jun-2025)

Aperçu du produit

The BSC340N08NS3 G is a 80V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.

Dual sided cooling
Low parasitic inductance
Low profile (<lt/>0.7mm)
Reduced switching and conduction losses
Very low on-resistance RDS(on)
Superior thermal resistance

Applications

Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, LED Lighting, Motor Drive & Control

Spécifications techniques

Channel Type	N Channel
Drain Source Voltage Vds	80V
On Resistance Rds(on)	0.0275ohm
Transistor Case Style	SuperSOT
Rds(on) Test Voltage	10V
Gate Source Threshold Voltage Max	2.8V
No. of Pins	8Pins
Product Range	-
MSL	MSL 1 - Unlimited

Transistor Polarity	N Channel
Continuous Drain Current Id	23A
Drain Source On State Resistance	0.034ohm
Transistor Mounting	Surface Mount
Power Dissipation Pd	32W
Power Dissipation	32W
Operating Temperature Max	150°C
Qualification	-
SVHC	No SVHC (25-Jun-2025)

Documents techniques (1)

BSC340N08NS3GATMA1 Data Sheet

Produits associés

2 produit(s) trouvé(s)

Législation et Questions environnementales

US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	Unknown
Conforme RoHS :	Oui RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:	Oui RoHS
SVHC :	No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit	Certificat de conformité du produit

The Engineer's Choice

ACCÉDEZ ASSEMBLEZ EVOLUEZ