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FF200R12KT4HOSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module
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![INFINEON FF200R12KT4HOSA1 IGBT Module, Dual [Half Bridge], 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 150 °C, Module](https://canada.newark.com/productimages/standard/en_US/27X9041-40.jpg)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 133,580 $ |
| 5+ | 119,000 $ |
| 10+ | 104,430 $ |
| 30+ | 103,860 $ |
| 50+ | 103,290 $ |
| 100+ | 102,730 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
133,58 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantFF200R12KT4HOSA1Copie
Code Commande27X9041
Fiche technique
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current320A
Continuous Collector Current320A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd1.1kW
Power Dissipation1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
320A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
1.1kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
DC Collector Current
320A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
1.1kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour FF200R12KT4HOSA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit