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GS61008PMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 90 A, 0.0095 ohm, 8 nC, GaNPX, Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS61008PMRXUSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine42AM5352RL
Bandes découpées42AM5352
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantGS61008PMRXUSA1Copie
Code Commande
Mise en bobine42AM5352RL
Bandes découpées42AM5352
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Typical Gate Charge8nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins5Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
5Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
90A
Typical Gate Charge
8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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