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1 171 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,100 $ | 10,10 $ |
| Total Prix | 10,10 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,100 $ |
| 50+ | 6,800 $ |
| 100+ | 4,940 $ |
| 250+ | 4,810 $ |
| 500+ | 4,690 $ |
| 1000+ | 4,590 $ |
| 2500+ | 4,500 $ |
| 5000+ | 4,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBF170R450M1XTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine91AH7661RL
Bandes découpées91AH7661
Gamme de produitCoolSiC
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.364ohm
On Resistance Rds(on)0.364ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation107W
Power Dissipation Pd107W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
On Resistance Rds(on)
0.364ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
107W
Product Range
CoolSiC
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
Drain Source On State Resistance
0.364ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
