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IMW120R090M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 1.2 kV, 0.117 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R090M1HXKSA1
Code Commande29AH1033
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
472 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,760 $ |
| 10+ | 7,760 $ |
| 25+ | 7,760 $ |
| 50+ | 7,760 $ |
| 100+ | 7,760 $ |
| 480+ | 7,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R090M1HXKSA1
Code Commande29AH1033
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
On Resistance Rds(on)0.09ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation Pd115W
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation115W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.09ohm
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Power Dissipation Pd
115W
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
115W
Product Range
CoolSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IMW120R090M1HXKSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit