Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R007M1HXKSA1
Code Commande32AK4933
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Votre numéro de pièce
538 En Stock
Vous en voulez davantage ?
45 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
493 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 18:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 85,140 $ |
| 5+ | 79,690 $ |
| 10+ | 74,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
85,14 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA120R007M1HXKSA1
Code Commande32AK4933
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation Pd750W
Power Dissipation750W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IMZA120R007M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Potential applications include general purpose drives (GPD), EV charging, online UPS/industrial UPS, string inverter, solar power optimizer.
- Very low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj ≥ 25°C
- Drain-source on-state resistance is 7mohm typ at Tvj = 25°C, VGS(on) = 18V, ID = 108A
- PG-TO247-4-U02 package
- Storage temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation
750W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
225A
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
750W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
