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IMZA65R083M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R083M1HXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande25AK0778
Gamme de produitCoolSiC Series
Votre numéro de pièce
50 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,470 $ |
| 10+ | 9,230 $ |
| 25+ | 8,750 $ |
| 50+ | 8,290 $ |
| 100+ | 7,810 $ |
| 250+ | 7,290 $ |
| 500+ | 6,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
12,47 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R083M1HXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande25AK0778
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.083ohm
On Resistance Rds(on)0.083ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation104W
Power Dissipation Pd104W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.083ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
104W
Product Range
CoolSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit